一款手机的推出在华盛顿引发担忧，即美国的制裁没能阻止中国关键技术的进步。

陈宏兵

122楼 陈宏兵说：
回复 104楼 无与伦比
这个人呢，好久就在这个论坛跳去跳来的，凭我知道有很多人都说是个崽子
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陈宏兵

123楼 陈宏兵说：
回复 104楼 无与伦比
我看他不但是个崽子，如果是有一天大家都不期望的一天到来，可能他就是个汉奸
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陈宏兵

124楼 陈宏兵说：
看了这么多，终于把这个楼层翻完了，这个楼层没想到盖这么高，一直我都在看这个汉奸的表演，然后在里面哈哈大笑
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无与伦比

126楼 无与伦比说：
我想问一下三星的四纳米为什么和台积电的四纳米造出来的。效果不一样呢。这是为什么。不都是四纳米吗嘿嘿
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倒数第一

127楼 倒数第一说：
回复 120楼 水仙花
问题在于小鱼纳米的芯片还木有，有没有这样的光科技都不好说，好了，不跟你争论这个，你淫了哈
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山之巅

128楼 山之巅说：
距离太近，电子会在两个电路间踹来踹去
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天黑以后就犯错

129楼 天黑以后就犯错说：回107楼苏可欣
就你这样的货色，还有父母吗？估计你父母早就不在了，要不然怎么会养出你这么个逼玩意儿。
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天黑以后就犯错

130楼 天黑以后就犯错说：回125楼苏可欣
跪舔了这么久。你的美国爹到底有没有认你做她儿子呀？
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水仙花

134楼 水仙花说：回128楼山之巅
案1：
1、CPU制程技术最小能做到0.11纳米。
2、芯片制程越小，
单位体积【链接】
的集成度越高，就意味着处理效率和
发热量【链接】
越小。
3、制程工艺的提升，决定3D晶体管横面积大小。在族陆不破坏硅原子本身的前提下，芯片制造目
前是有理论极限的，在0.5nm左右，因为本身硅原子之间也要保持一定的距离。
4、制程工艺 就是通常我们所说的CPU的“制作工艺”，是指在生产CPU过程中，
集成电路【链接】
的精细度，也就是说拍知精度越高，生产工艺越先进。在同样的材料中可以制造更多的
电子元件【链接】
，连接线也越细，精袭穗消细度就越高，CPU的功耗也就越小。
答案2：
硅原子大小半径为110皮米，也就是饥皮0.11纳米，直径0.22nm。虽然3d晶体管的出现已经让芯片不再全部依赖制程大小，而制程工艺的提升，也意味着会决定3d晶体管横面积大小，不过，在不破坏硅原子本身的前提下，芯片制造目前还是有理论极限的，在0.5nm左右，之所以不是0.2nm，是因为本身硅原子之拆肢敬间也要保持一定的距离。而从实际角度上看，intel在旅慎9nm制程上已经出现了切割良品率低和漏电率低的问题，所以0.5nm这个理论极限在目前的科学技术上看，几乎是不可能的。
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星空的记忆

135楼 星空的记忆说：
我来说两句，这个芯片三纳米已经到了极限，并不是可以无线的发展，以前芯片发展的很平稳，所以摩尔定律一直没被打破，二林一九年后，芯片发展就接近极限了，光刻机也到极限，芯片基本无法在做小，之后二林二林年高通发布五纳米制成的骁龙888，这款处理器就有点激进了，所以有发热问题，这也是漂亮国为什么会在二林一九年打压华为的原因，因为后面推进会慢下来，会让华为的发展跟上。这个芯片为什么会有瓶颈呢，是因为光刻机吗，其实不是，这个芯片其实就是在半导体材料上刻晶体管，其实就是mos管，我们知道，mos其实就是电子开关，他是利用晶体管的导通来进行运算，比如导通是一，截止就是林，任何一种开关都可以制成处理器，比如以前的处理器就是用三极管制作的，因为三极管是电流性导通，这就使他非常费电，现在使用mos管作为开关，它是电压行器件，只要有电压就能导通，所以比较省电，现在的问题是晶体管在进一步做小后会产生漏电流，会让芯片发热，这样你说有没到发展瓶颈。
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扯扯更健康

136楼 扯扯更健康说：回121楼苏可欣
张口闭口拿低保的，或者是盲人怎么怎么样这样赤裸裸的带有歧视和挑衅意味的言语着实不该出现在文明社会按照上面某人的逻辑，盲人从事按摩工作，就应该只了解按摩内的事情。了解了按摩以外的，诸如高科技啦诸如国内外政治了这个就是该天打五雷轰的。诸如拿低保的，就不应该享有了解新闻的权利，如果你知道了，那就是不可饶恕的。这样的奇谈怪论，论坛管理者不对齐，加以管教，实属不该。虽然本人没有享受低保。但本人迫切想要那低保
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风轻云淡！

137楼 风轻云淡！说：
在没有制裁打压之前，排行是很可观的，甚至一度超过了水果手机。现在从系统到零配件，慢慢的再补齐短板。，虽然是一部小小的手机，但他反映了国家的工业和科技发展实例。
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